CCPT03FS120E2B型功率驱动器

               CCPT03FS120E2B型功率驱动器

1)主要功能                

l                      优化的1200V高性能和高性价比SiC技术

l                      低导通电阻(Rds(on))

l                      高速度开关，低电容

l                      低开关损耗

l                      低电感设计

2)产品优势

l                      提高系统效率

l                      降低散热需求

l                      增加功率密度

l                      实现更高的开关频率

3)应用领域

l                      电机驱动逆变器

l                      交流与直流伺服驱动放大器

l                      高频开关应用

l                      智能电网/并网分布式发电

4)主要参数

绝对最大额定值（TC=25℃，除非另有说明）

金属氧化物半导体场效应晶体管

符号	参数	数值	单位
VDSmax	漏源击穿电压	1200	V
VGSmax	栅源最大电压	-5/+20	V
IDN	连续漏极电流	300	A
IDRM	重复峰值漏极电流：设计验证，脉冲宽度受Tvjmax限制	600	A

 

体二极管

符号	参数	数值	单位
Isd	直流体二极管正向电流	300	A

 

MOSFET特性（TC=25℃，除非另有说明）

符号	参数	最小。	类型。	最高的	单元	试验条件
RDS(on)	漏源导通电阻		3.64		mΩ	ID=300A,VGS=18V,Tj=25oC
			5.18			ID=300A,VGS=18V,Tj=150oC
			5.86			ID=300A,VGS=18V,Tj=175oC
VGS(th)	栅源阈值电压	2	2.80	4	V	IC=80mA,VGS=VDS,Tj=25oC
IDSX	漏源漏电流			100	µA	VDS=1200V,VGS=-4V,Tj=25oC
IGSS	栅源漏电流			400	nA	VGS=20V
RGint	内部栅极电阻		1.8			Tj=25oC
Cies	输入电容	--	22.5	--	nF	VDS=600V,f=100KHz, VGS=0V
Coss	输出电容	--	41.8	--
Crss	反向传输电容	--	3.10	--
Qg	总栅电荷	--	0.78	--	uC	VGS=-4/+18V,VDS=600V,ID=300A
EOn	开通切换能量	--	5.5	--	mJ	VDS=600V,ID=300A, VGS=-4/+18V, RG=8.2Ω, Tj=25oC
EOff	关断切换能量	--	13.7	--
td(on)	开通延迟时间	--	90	--	ns
tr	开通上升时间	--	134	--
td(off)	关断延迟时间	--	275	--
tf	关断下降时间	--	51	--
EOn	开通切换能量	--	4.2	--	mJ	VDS=600V,ID=300AVGS=-4/+18V, RG=8.2Ω, Tj=150oC
EOff	关断切换能量	--	14.1	--
td(on)	开通延迟时间	--	67	--	ns
tr	开通上升时间	--	118	--
td(off)	关断延迟时间	--	339	--
tf	关断下降时间	--	49	--
EOn	开通切换能量	--	4.2	--	mJ	VDS=600V,ID=300A, VGS=-4/+18V, RG=8.2Ω, Tj=175oC
EOff	关断切换能量	--	14.2	--
td(on)	开通延迟时间	--	68	--	ns
tr	开通上升时间	--	118	--
td(off)	关断延迟时间	--	355	--
tf	关断下降时间	--	49	--
RthJC	结到壳热阻		0.136		K/W	每个MOSFET
RthCH	壳到散热器热阻		0.002		K/W	每个MOSFET
Tvjop	开关条件下的温度	-40		175	℃

体二极管特性（TC=25℃，除非另有说明）

符号	参数	最小值	典型值。	最大值	单位	测试条件
VSD	二极管正向电压		5.91		V	VGS=-4V,IS=300A,Tj=25oC
			5.38			VGS=-4V,IS=300A,Tj=150oC
			5.27			VGS=-4V,IS=300A,Tj=175oC
trr	反向恢复时间		61		ns	VDS=600V,IS=300A, VGS=-4V,diF/dt=-4174A/us,Tj=25oC
Qrr	反向恢复电荷		4.6		uC
Irrm	反向恢复峰值电流		127		A
Erec	反向恢复能量		2.8		mJ
trr	反向恢复时间		69		ns	VDS=600V,IS=300A, VGS=-4V,diF/dt=-4987A/us,Tj=150oC
Qrr	反向恢复电荷		7.1		uC
Irrm	反向恢复峰值电流		174		A
Erec	反向恢复能量		4.7		mJ
trr	反向恢复时间		70		ns	VDS=600V,IS=300A, VGS=-4V,diF/dt=-5077A/us,Tj=175oC
Qrr	反向恢复电荷		7.4		uC
Irrm	反向恢复峰值电流		178		A
Erec	反向恢复能量		5.0		mJ

 

NTC热敏电阻特性

符号	参数	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
R25	额定电阻	TNTC=25℃		5.0		kΩ
B25/50	B值	R2=R25exp[B25/50(1/T2-1/(298,15K))]		3380		K
B25/80	B值	R2=R25exp[B25/80(1/T2-1/(298,15K))]		3435		K

 

封装特性

符号	参数	测试条件	数值	单位
VISOL	绝缘测试电压	RMS，f=50Hz，t=1分钟	2.5	kV
dCreep	爬电距离		10.0	mm
dClear	电气间隙		7.5	mm
CTI	比较漏电起痕指数		>200
LsCE	漏源极之间的寄生电感		18	nH
Tstg	储存温度		-40~125	℃
M	模块安装扭矩	M5，螺丝	3~6	Nm
G	重量		300	g

 

 

 

 

 

图1.MOSFET输出特性                          图2.MOSFET输出特性

 

图3.MOSFET转移特性                        图4.MOSFET漏源导通电阻

 

  

图5.MOSFET漏源导通电阻                     图6.MOSFET电容特性

 

图7.MOSFET开关损耗与漏极电流(ID)的关系          图8.MOSFET开关损耗与栅极电阻(RG)的关系

 

图9.MOSFET反向偏置安全工作区(RBSOA)         图10. MOSFET瞬态热阻

 

图11. 体二极管正向特性           图12. 体二极管开关损耗与体二极管电流(ISD) 的关系

 

  图13.体二极管开关损耗与栅极电阻(RG)的关系                图14.NTC温度特性

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

电路图

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

封装尺寸

尺寸单位：毫